温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

所公开的蚀刻方法包括：工序(a)，在腔室内准备基板；工序(b)，在基板上形成沉积物；工序(c)，通过从由处理气体生成的等离子体向沉积物供给离子，对沉积物进行改性；及工序(d)，在工序(c)之后，使用等离子体对电介质膜进行蚀刻。基板包括电介质...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。