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本发明提供了一种多晶硅栅极间距的工艺窗口电性测试结构，放置于切割道内，至少包括一正式测试结构，正式测试结构包括N阱电阻参考测试结构和多晶硅栅极电阻测试结构，N阱电阻参考测试结构包括有源区内的呈矩形的N阱电阻，以及位于N阱电阻两端的第一和第二...
该专利属于广州增芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州增芯科技有限公司授权不得商用。

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