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提供了半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括有源图案；沟道图案，在有源图案上，其中，沟道图案包括多个半导体图案；源极/漏极图案，连接到所述多个半导体图案；栅电极，在沟道图案上沿第一方向延伸，其中，栅电极包括在所述多个半导体图案之中的第一...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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