半导体装置制造方法及图纸

提供了半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括有源图案；沟道图案，在有源图案上，其中，沟道图案包括多个半导体图案；源极/漏极图案，连接到所述多个半导体图案；栅电极，在沟道图案上沿第一方向延伸，其中，栅电极包括在所述多个半导体图案之中的第一半导体图案与第二半导体图案之间的内栅电极；以及内栅极间隔件，在内栅电极与源极/漏极图案之间，其中，内栅极间隔件包括中心部分和边缘部分，中心部分在第二方向上具有第一厚度，边缘部分在第二方向上具有第二厚度，第一厚度大于第二厚度，第一半导体图案和第二半导体图案在第三方向上彼此相邻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术构思涉及半导体装置及其制造方法，并且更具体地，涉及包括场效应晶体管的半导体装置及其制造方法。

技术介绍

1、半导体装置可以包括集成电路，该集成电路可以包括金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)。为了满足对具有小图案尺寸和减小设计规则的半导体装置的日益增长的需求，正在按比例缩小mosfet。mosfet的按比例缩小会导致半导体装置的操作性质劣化。正在进行各种研究以克服与半导体装置的按比例缩小相关的技术限制并实现高性能半导体装置。

技术实现思路

1、本公开的专利技术构思可以提供具有改善的可靠性和电特性的半导体装置。

2、根据本公开的专利技术构思的一些实施例，半导体装置可以包括：基底，包括有源图案；沟道图案，在有源图案上，其中，沟道图案包括彼此间隔开的多个半导体图案；源极/漏极图案，电连接到所述多个半导体图案；栅电极，在沟道图案上沿第一方向延伸，其中，栅电极包括在所述多个半导体图案之中的第一半导体图案与第二半导体图案之间的内栅电极；以及内栅极间隔件，在内栅电极与源极/漏极图案之间，其中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二厚度与第一厚度的比率为0.2至0.8。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，内栅极间隔件在第二方向上的厚度从中心部分到边缘部分减小。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：高k介电层，在内栅极间隔件与内栅电极之间。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，内栅极间隔件包括朝向内栅电极凸出的第一侧壁。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，内栅极间隔件包括与源极/漏极图案接触并且朝向内栅电极凹陷的第二侧壁。...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第二厚度与第一厚度的比率为0.2至0.8。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，内栅极间隔件在第二方向上的厚度从中心部分到边缘部分减小。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：高k介电层，在内栅极间隔件与内栅电极之间。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，内栅极间隔件包括朝向内栅电极凸出的第一侧壁。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，内栅极间隔件包括与源极/漏极图案接触并且朝向内栅电极凹陷的第二侧壁。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，第一侧壁的曲率大于第二侧壁的曲率。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，内栅电极包括在内栅极间隔件上的凹入侧壁。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，内栅极间隔件包括第一外侧壁和第二外侧壁，第一外侧壁与源极/漏极图案接触并且朝向源极/漏极图案凸出，第二外侧壁在内栅电极上并且朝向源极/漏极图案凹陷。

10.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

11.根据权利要求10所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金成玟，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：