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提供一种处理基板的方法，包括：使包括烃化合物和掺杂剂化合物的沉积气体流入处理容积中，所述处理容积具有定位在基板支撑件上的基板。所述处理容积保持在约0.5毫托至约10毫托的压力。所述方法包括：通过将第一RF偏压施加至所述基板支撑件，在所述基板...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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