【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的实施例总体上涉及在半导体器件的制造中使用的方法。更具体地，本公开的实施例涉及对碳膜进行掺杂和退火以形成热稳定的类金刚石碳膜的方法。
技术介绍
集成电路已发展成复杂的器件，所述复杂的器件能够在单一芯片上包括数百万个晶体管、电容器和电阻器。芯片设计的发展持续地涉及更快的电路系统和更大的电路密度。对于具有更大电路密度的更快电路的需求对用于制造这样的集成电路的材料也施加了相应的需求。尤其，随着集成电路部件的尺寸减小至次微米级，趋势为使用低电阻率导电材料以及低介电常数绝缘材料以获得此类部件的合适电性能。对更大集成电路密度的需求也对集成电路部件的制造中所使用的工艺序列施加了需求。例如，在使用常规光刻技术的工艺序列中，能量敏感的抗蚀剂层在材料层堆叠上方形成，所述材料层堆叠设置在基板上。将能量敏感的抗蚀剂层暴露于图案的影像，以形成光抗蚀剂掩模。之后，使用蚀刻工艺将掩模图案转移到堆叠的材料层中的一者或多者。选择蚀刻工艺中所使用的化学蚀刻剂，以使得对堆叠的材料层的蚀刻选择性大于对能量敏感的抗蚀剂的掩模的蚀刻选择性。即，化学蚀刻剂以比能量敏感的抗蚀剂快得多的速率蚀刻材料堆叠的一...
【技术保护点】
1.一种处理基板的方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中所述经退火膜具有约2.0g/cc至约3.0g/cc的密度。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述掺杂剂化合物包括硼、硅、或上述两者。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述掺杂剂化合物包括：乙硅烷、乙硼烷、三乙基硼烷、甲硅烷、乙硅烷、丙硅烷、上述各者的衍生物、或上述各者的任何组合。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述掺杂类金刚石碳膜包括约8原子百分含量至约15原子百分含量的掺杂剂。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述经退火膜包括约50原子百分含...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种处理基板的方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中所述经退火膜具有约2.0g/cc至约3.0g/cc的密度。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述掺杂剂化合物包括硼、硅、或上述两者。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述掺杂剂化合物包括：乙硅烷、乙硼烷、三乙基硼烷、甲硅烷、乙硅烷、丙硅烷、上述各者的衍生物、或上述各者的任何组合。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述掺杂类金刚石碳膜包括约8原子百分含量至约15原子百分含量的掺杂剂。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述经退火膜包括约50原子百分含量至约80原子百分含量的sp3杂化碳原子。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述烃化合物包括：乙烯、丙烯、甲烷、丁烯、1,3-二甲基金刚烷、双环[2.2.1]庚-2,5-二烯、金刚烷、降冰片烯或上述各者的任何组合。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述经退火膜具有约0.9至约1.3的蚀刻选择性。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述处理容积保持在约5毫托至约10毫托的压力，且其中所述基板保持在约0℃至约50℃的温度。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述经退火膜是硅掺杂的经退火膜，且具有大于150gpa...
【专利技术属性】
技术研发人员：E·文卡塔苏布磊曼聂，R·纳拉亚南，P·曼纳，A·B·玛里克，K·嘉纳基拉曼，王佳良，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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