温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

描述了具有内部间隔体衬垫的集成电路结构，以及制造具有内部间隔体衬垫的集成电路结构的方法。例如，集成电路结构包括水平纳米线的堆叠体。栅极结构垂直围绕水平纳米线的堆叠体，水平纳米线的堆叠体横向延伸超过栅极结构。内部栅极间隔体在水平纳米线的堆叠体...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。