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本公开实施例提供了一种半导体结构及存储器，第一存储块包括沿第一方向排列的N个第一存储组，第二存储块包括沿第一方向排列的N个第二存储组；行译码电路包括2N个选择控制单元、N个行冗余单元、N‑1个预译码单元和2×(N‑1)个放大控制单元，从而减...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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