一种半导体结构及存储器制造技术

技术编号:43899897 阅读:19 留言:0更新日期:2025-01-03 13:12
本公开实施例提供了一种半导体结构及存储器,第一存储块包括沿第一方向排列的N个第一存储组,第二存储块包括沿第一方向排列的N个第二存储组;行译码电路包括2N个选择控制单元、N个行冗余单元、N‑1个预译码单元和2×(N‑1)个放大控制单元,从而减小了访问延滞,提高了行译码电路性能。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体,尤其涉及一种半导体结构及存储器


技术介绍

1、随着半导体技术的不断发展,人们在制造和使用计算机等设备时,对数据的传输速度提出了越来越高的要求。为了获得更快的数据传输速度,应运而生了一系列数据可以双倍速率(double data rate,ddr)传输的存储器等器件。

2、其中,对于行译码电路(row decoder)而言,行译码电路由多个功能单元组成,其中包括一个行冗余单元和一个预译码单元,该行冗余单元和预译码单元位于存储块的一侧,而存储块中又包括多个存储组,使得行冗余单元和预译码单元距离最终访问的存储组较远,导致访问延滞较大。


技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种半导体结构及存储器。

2、第一方面,本公开实施例提供了一种半导体结构,该半导体结构包括第一存储块、第二存储块和行译码电路,且第一存储块、行译码电路和第二存储块沿第二方向排列;

3、第一存储块包括沿第一方向排列的n个第一存储组,第二存储块包括沿第一方向排列的n个第二存储组

4、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构,其特征在于,所述半导体结构包括第一存储块、第二存储块和行译码电路,且所述第一存储块、所述行译码电路和所述第二存储块沿第二方向排列;

2.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,每一所述选择控制单元均包括字线驱动单元和块译码单元,其中:

3.根据权利要求2所述的半导体结构,其特征在于,

4.根据权利要求3所述的半导体结构,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,

6.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,

7.根据权利要求2所述的半导体结构,其特征在于,所述行译码电路...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构,其特征在于,所述半导体结构包括第一存储块、第二存储块和行译码电路,且所述第一存储块、所述行译码电路和所述第二存储块沿第二方向排列;

2.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,每一所述选择控制单元均包括字线驱动单元和块译码单元,其中:

3.根据权利要求2所述的半导体结构,其特征在于,

4.根据权利要求3所述的半导体结构,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,

6.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,

7.根据权利要求2所述的半导体结构,其特征在于,所述行译码电路还包括2n个主字线驱动单元,其中:

8.根据权利要求7所述的半导体结构,其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员:范习安李中和
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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