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本揭露提供一种半导体装置及其制造方法。在通过金属栅极结构来取代半导体装置的多晶硅虚拟栅极结构的替换栅极工艺后，可以通过接续式扩散边缘上金属(continuous metal on diffusion edge，CMODE)在半导体装置中形成...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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