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本公开的实施例涉及集成电路结构制造领域。在示例中，一种集成电路结构包括多条导线，所述多条导线的各条导线具有包括钼(Mo)的衬层以及包括钨(W)的填充物。所述集成电路结构还包括层间电介质(ILD)结构，所述ILD结构的一些部分位于所述多条导线...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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