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一种半导体装置包含基材、设置于基材中的栅电极、设置于栅电极上方的通道区、设置于栅电极与通道区之间的栅极介电层及与通道区接触的至少两个源极/漏极区。通道区包含至少一硼碳氮单壁纳米管。硼碳氮单壁纳米管来增强其半导体特性及降低其金属特性，从而用作...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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