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蚀刻停止结构形成牺牲存储器开口填充结构，该牺牲存储器开口填充结构形成在竖直地延伸穿过第一绝缘层和第一间隔物材料层的第一层交替堆叠的第一层存储器开口内。该蚀刻停止结构可包括形成在该第一层存储器开口内部的牺牲存储器开口填充材料部分上方的导电蚀刻...
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