【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开整体涉及半导体器件领域，并且具体地涉及用于采用蚀刻停止结构来制造三维存储器器件的方法以及由所述方法形成的结构。
技术介绍
1、包括每个单元具有一个位的三维竖直nand串的三维存储器器件在t.endoh等人的名称为“具有堆叠的包围栅极晶体管(s-sgt)结构化单元的新型超高密度存储器(novelultra high density memory with a stacked-surrounding gate transistor(s-sgt)structured cell)”，iedm proc.(2001)33-36的文章中公开。
技术实现思路
1、根据本公开的一个方面，提供了一种形成存储器器件的方法，该方法包括：在衬底上方形成第一绝缘层和第一间隔物材料层的第一层交替堆叠，其中该第一间隔物材料层形成为第一导电层或随后用第一导电层替换；形成穿过该第一层交替堆叠的第一层存储器开口；在该第一层存储器开口中形成牺牲第一层存储器开口填充结构，该牺牲第一层存储器开口填充结构包括第一碳基填充材料部...
【技术保护点】
1.一种形成存储器器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在执行所述各向异性蚀刻工艺之后并且在移除所述第一导电材料部分之前执行各向同性蚀刻工艺，所述各向同性蚀刻工艺将所述第二间隔物材料层围绕所述第二层存储器开口横向地凹陷。
3.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中：
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一导电材料包括过渡金属或导电金属化合物。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一导电材料部分至少通过以下形成：
7....
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种形成存储器器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在执行所述各向异性蚀刻工艺之后并且在移除所述第一导电材料部分之前执行各向同性蚀刻工艺，所述各向同性蚀刻工艺将所述第二间隔物材料层围绕所述第二层存储器开口横向地凹陷。
3.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中：
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一导电材料包括过渡金属或导电金属化合物。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第一导电材料部分至少通过以下形成：
7.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括通过执行凹陷蚀刻工艺来减薄所述第一导电材料部分，所述凹陷蚀刻工艺对于所述第一层绝缘层的材料选择性地蚀刻所述第一导电材料。
8.根据权利要求7所述的方法，所述方法还包括通过沉积和凹陷包含原子百分比大于50％的碳的碳基封盖材料在所减薄的第一导电材料部分的顶部表面上形成碳基封盖材料部分。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述碳基封盖材料部分是通过所述各向异性蚀刻工艺来蚀刻的。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一碳基填充材料部分是通过在所述第一层存储器开口中和所述第一层交替堆叠上方沉积碳基填充材料以及通过至少从所述第一层交替堆叠上方移除所述碳基填充材料的部分来形成的。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一碳基填充材料部分的所述碳基填充材料包含原子百分比大于50％的碳。
12.根据权利要求1所述的方法，其中：
13.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：
14.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括：
15.根据权利要求13所述的方法，其中：
16.根据权利要求1所述的方法，其中：
17.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：
18.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：
19.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：
20.根据权利要求19所述的方法，所述方法还包括：
21.一种存储器器件，所述存储器器件包括：
22.根据权利要求21所述的存储器器件，其中：
23.根据权利要求22所述的存储器器件，其中所述蚀刻停止半导体材料层与所述存储器膜的外侧壁的表面段直接接触。
24.根据权利要求22所述的存储器器件，其中所述蚀刻停止半导体材料层电连接到所述第二导电层中的最底部的第二导电层。
25.根据权利要求24所述的存储器器件，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：周兵，M·提图斯，R·S·马卡拉，R·沙朗帕尼，S·卡纳卡梅达拉，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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