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本发明提供一种垂直腔面发射激光器的外延结构及其校验方法，该校验方法通过采用Al的摩尔分数大于60％的AlGaAs材料作为缓冲层的GaAs衬底的垂直腔面发射激光器的外延结构进行外延校验，在进行外延校验时对AlGaAs缓冲层的外延生长进行原位监...
该专利属于上海新微半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新微半导体有限公司授权不得商用。

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