垂直腔面发射激光器的外延结构及其校验方法技术

本发明专利技术提供一种垂直腔面发射激光器的外延结构及其校验方法，该校验方法通过采用Al的摩尔分数大于60％的AlGaAs材料作为缓冲层的GaAs衬底的垂直腔面发射激光器的外延结构进行外延校验，在进行外延校验时对AlGaAs缓冲层的外延生长进行原位监测，进而减少试生产的次数，提高外延校验效率，此外，通过采用外延工艺于GaAs衬底上生长Al的摩尔分数大于60％的AlGaAs缓冲层，同时在该外延工艺过程中于外延工艺腔室内壁上沉积Al的摩尔分数大于60％的AlGaAs材料作为内壁保护层，以此来减少甚至避免外延生长时外延工艺腔室内的杂质颗粒掉落在外延生长的膜层表面形成缺陷，同时还可以去掉单独于外延工艺腔室内壁上沉积内壁保护层的炉次，进一步提高外延校验效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体激光器领域，特别是涉及一种垂直腔面发射激光器的外延结构及其校验方法。

技术介绍

1、垂直腔面发射激光器(vcsel，vertical cavity surface emitting laser)的谐振腔是通过布拉格反射镜形成，这使得激光沿着材料外延方向即垂直于衬底方向出射。由于其具有高光束质量、单纵模激射、低阈值电流密度、片上测试、易于二维阵列集成等优点广泛应用于光互联、光通讯、人脸识别及激光雷达等领域。

2、为了提高垂直腔面发射激光器外延结构的膜层质量，进而提高垂直腔面发射激光器外延结构的良率，需要对外延结构进行校验，在对垂直腔面发射激光器的外延设备进行更换外延工艺腔室配件等影响生长结果的维护之后，对外延工艺腔室进行高温烘烤，然后再于外延工艺腔室内的内壁上沉积黏附性较强的材料作为内壁保护层，以此来减少甚至避免杂质颗粒的掉落在外延生长的膜层表面形成缺陷，进而影响垂直腔面发射激光器的性能。沉积内壁保护层之后进行垂直腔面发射激光器外延结构的试生产，并根据试生长结果调整对应的生长参数，直到试生产结果满足预设要求，再进行垂直腔面发射本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种垂直腔面发射激光器的外延结构，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器的外延结构由下向上依次包括：GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、N型AlGaAs布拉格反射镜层、InGaAs量子阱有源区层、AlGaAs氧化限制层及P型AlGaAs布拉格反射镜层，其中所述AlGaAs缓冲层的材料组分为AlxGa(1-x)As，其中0.6<x<1。

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器的外延结构，其特征在于：所述垂直腔面发射激光器的外延结构还包括位于所述P型AlGaAs布拉格反射镜层上方的GaAs欧姆接触层。

3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器的外延结构...

【技术特征摘要】

1.一种垂直腔面发射激光器的外延结构，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器的外延结构由下向上依次包括：gaas衬底、algaas缓冲层、n型algaas布拉格反射镜层、ingaas量子阱有源区层、algaas氧化限制层及p型algaas布拉格反射镜层，其中所述algaas缓冲层的材料组分为alxga(1-x)as，其中0.6<x<1。

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器的外延结构，其特征在于：所述垂直腔面发射激光器的外延结构还包括位于所述p型algaas布拉格反射镜层上方的gaas欧姆接触层。

3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器的外延结构，其特征在于：所述algaas缓冲层的厚度为100nm～1000nm。

4.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器的外延结构，其特征在于：所述ingaas量子阱有源区层中量子阱的个数为3个～6个，所述n型algaas布拉格反射镜层具有42对布拉格反射镜。

5.一种垂直腔面发射激光器外延结构的校验方法，其特征在于：采用如权利要求1至4中任...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵智德，赵舒燕，
申请(专利权)人：上海新微半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：