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本发明涉及半导体技术领域，具体是多向气流均衡分布的ALD反应腔室结构，包括：反应腔本体；立柱，所述立柱的一端固定在反应腔本体的底部；放置台，所述立柱的另一端固定在放置台底部；中间壳，所述中间壳设置在反应腔本体，所述反应腔本体的外侧设置使外壳...
该专利属于盐城工学院所有，仅供学习研究参考，未经过盐城工学院授权不得商用。

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