多向气流均衡分布的ALD反应腔室结构制造技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，具体是多向气流均衡分布的ALD反应腔室结构，包括：反应腔本体；立柱，所述立柱的一端固定在反应腔本体的底部；放置台，所述立柱的另一端固定在放置台底部；中间壳，所述中间壳设置在反应腔本体，所述反应腔本体的外侧设置使外壳进行转动的驱动机构；两个导向板，所述导向板为凹板，且所述导向板的两端均固定在中间壳的顶部，所述导向板的一侧开设有两个相互平行且轮廓轨迹呈凹形的导向槽，且导向槽的拐角端为圆弧过渡；在本发明专利技术中，圆管能够在放置台的周围进行环绕运动，同时圆管能够在导向板上进行凹形轨迹的移动，即在放置台的上方环绕运动，从而使气体更好与放置台上的反应物均匀接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体是多向气流均衡分布的ald反应腔室结构。

技术介绍

1、原子层沉积(atomiclayerdeposition,英文简称ald)，原子层沉积最初由芬兰科学家在1974年提出，具有单原子层逐次沉积，沉积层厚度极均匀，三维保形性高的优点，已成为先进半导体工艺技术发展的关键环节。在原子层沉积工艺中，新原子层的化学反应直接与之前层关联。原子层沉积通过将两种以上的气相前驱体源交替地通入反应器，并在沉积衬底表面进行化学吸附反应形成沉积薄膜。利用化学键交替吸附a、b两种物质，实现面反应生长，适当的过程温度可以阻碍分子在表面的物理吸附。原子层沉积具有自限制的特点，即在每一个脉冲周期内，气相前驱体都只能在沉积衬底表面的原子成键位发生反应，并恰好以饱和量覆盖村底表面，能够在非常宽的工艺窗口中逐原子层重复生长。

2、经检索，授权公告号为cn109321895b中国专利公开了一种用于ald工艺的气体传输装置，在传输前驱体a的过程中，携带气体通过所述携带流量计a和三通脉冲阀a进入储存器a，并携带前驱体a经过供应管路a进入ald反应腔室，携带气体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.多向气流均衡分布的ALD反应腔室结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的多向气流均衡分布的ALD反应腔室结构，其特征在于，驱动机构包括：

3.根据权利要求2所述的多向气流均衡分布的ALD反应腔室结构，其特征在于，所述传动组包括：

4.根据权利要求1所述的多向气流均衡分布的ALD反应腔室结构，其特征在于，所述往复组件包括：

5.根据权利要求4所述的多向气流均衡分布的ALD反应腔室结构，其特征在于，还包括识别组件（30），所述识别组件（30）包括：

6.根据权利要求2所述的多向气流均衡分布的ALD反应腔室结构，其特征在...

【技术特征摘要】

1.多向气流均衡分布的ald反应腔室结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的多向气流均衡分布的ald反应腔室结构，其特征在于，驱动机构包括：

3.根据权利要求2所述的多向气流均衡分布的ald反应腔室结构，其特征在于，所述传动组包括：

4.根据权利要求1所述的多向气流均衡分布的ald反应腔室结构，其特征在于，所述往复组件包括：

5.根据权利要求4所述的多向气流均衡分布的ald反应腔室结构，其特征在于，还包括识别组件（30），所述识别组...

【专利技术属性】
技术研发人员：周宏鑫，周临震，
申请(专利权)人：盐城工学院，
类型：发明
国别省市：