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描述半导体装置结构的形成方法。在一些实施例中，此方法包含形成栅极电极；在栅极电极上方形成遮罩结构；将遮罩结构图案化，以形成开口；以及通过施加具有第一脉冲方案的第一电源功率及第一偏压电源对栅极电极进行第一蚀刻制程。第一偏压电源具有第一频率，以...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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