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本发明涉及半导体光电器件技术领域，具体公开了一种GaN基化合物半导体激光元件。该GaN基化合物半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，上波导层与上限制层之间具有激子声子量子干涉层；激子声子量子干...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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