【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体光电器件，具体涉及一种gan基化合物半导体激光元件。
技术介绍
1、激光器广泛应用于激光显示、激光电视、激光投影仪、通讯、医疗、武器、制导、测距、光谱分析、切割、精密焊接、高密度光存储等领域。激光器的分类很多，分类方式也多样，主要有固体、气体、液体、半导体和染料等类型激光器；与其他类型激光器相比，全固态半导体激光器具有体积小、效率高、重量轻、稳定性好、寿命长、结构简单紧凑、小型化等优点。激光器与氮化物半导体发光二极管存在较大的区别，1)激光是由载流子发生受激辐射产生，光谱半高宽较小，亮度很高，单颗激光器输出功率可在w级，而氮化物半导体发光二极管则是自发辐射，单颗发光二极管的输出功率在mw级；2)激光器的使用电流密度达ka/cm2，比氮化物发光二极管高2个数量级以上，从而引起更强的电子泄漏、更严重的俄歇复合、极化效应更强、电子空穴不匹配更严重，导致更严重的效率衰减droop效应；3)发光二极管自发跃迁辐射，无外界作用，从高能级跃迁到低能级的非相干光，而激光器为受激跃迁辐射，感应光子能量应等于电子跃迁的能级之差，产生光子...
【技术保护点】
1.一种GaN基化合物半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，其特征在于，所述上波导层与上限制层之间具有激子声子量子干涉层；所述激子声子量子干涉层的晶格常数分布具有函数y＝A+B*lnx+x曲线分布，A、B为任意数值；所述激子声子量子干涉层的禁带宽度分布具有函数y＝C+D*sinx/x2第三象限曲线分布，C、D为任意数值；上限制层的晶格常数≤激子声子量子干涉层的晶格常数≤上波导层的晶格常数；上波导层的禁带宽度≤激子声子量子干涉层的禁带宽度≤上限制层的禁带宽度。
2.根据权利要求1所述的一种GaN基化合物半导体激...
【技术特征摘要】
1.一种gan基化合物半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，其特征在于，所述上波导层与上限制层之间具有激子声子量子干涉层；所述激子声子量子干涉层的晶格常数分布具有函数y＝a+b*lnx+x曲线分布，a、b为任意数值；所述激子声子量子干涉层的禁带宽度分布具有函数y＝c+d*sinx/x2第三象限曲线分布，c、d为任意数值；上限制层的晶格常数≤激子声子量子干涉层的晶格常数≤上波导层的晶格常数；上波导层的禁带宽度≤激子声子量子干涉层的禁带宽度≤上限制层的禁带宽度。
2.根据权利要求1所述的一种gan基化合物半导体激光元件，其特征在于，所述激子声子量子干涉层的热导率分布具有函数y＝e+f*xa的曲线分布，其中，a＜0，e、f为任意数值；上波导层的热导率≤激子声子量子干涉层的热导率≤上限制层的热导率。
3.根据权利要求2所述的一种gan基化合物半导体激光元件，其特征在于，所述激子声子量子干涉层的热膨胀系数分布具有函数y＝g+h*bx的曲线分布，其中，b＜1，g、h为任意数值；上波导层的热膨胀系数≤激子声子量子干涉层的热膨胀系数≤上限制层的热膨胀系数。
4.根据权利要求3所述的一种gan基化合物半导体激光元件，其特征在于，所述激子声子量子干涉层的in/c元素比例具有函数y＝j+k*lnx+x的曲线分布，j、k为任意数值；上限制层的in/c元素比例≤激子声子量子干涉层的in/c元素比例≤上波导层的in/c元素比例。
5.根据权利要求4所述的一种gan基化合物半导体激光元件，其特征在于，所述激子声子量子干涉层的in/h元素比例具有函数y＝l+x-1/2x第一四象限曲线分布，l为任意数值；上限制层的in/h元素比例≤激子声子量子干涉层的in/h元素比例≤上波导层的in/h元素比例。
6.根据权利要求5所述的一种gan基化合物半导体激光元件，其特征在于，所述激子声子量子干涉层的in/o元素比例具有函数y＝m+n*logcx的曲线分布，其中，c＜1,m、n为任意数值；上限制层的in/o元素比例≤激子声子量子干涉...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑锦坚，寻飞林，陈婉君，曹军，李水清，邓和清，蓝家彬，张江勇，刘紫涵，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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