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存储装置及形成其的方法制造方法及图纸
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下载存储装置及形成其的方法的技术资料
文档序号:43762620
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本公开提供了一种存储装置及形成其的方法。所述存储装置为三维位成本可扩展存储装置(BiCS),包含层堆叠与垂直地延伸通过层堆叠的通孔电极。层堆叠包含导电度可控层与电极层。电极层具有导体部分与分隔部分,分隔部分使通孔电极和电极层的导体部分分开。...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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