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本公开实施例涉及封装领域，提供一种半导体结构及其制备方法、封装结构，半导体结构包括基底，基底具有相对的第一表面以及第二表面，基底包括阵列区，阵列区内形成有自第一表面向第二表面延伸的多个沟槽；第一电极板，位于所述基底的第一表面上且延伸至所述多...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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