【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及封装领域，特别涉及一种半导体结构及其制备方法、封装结构。
技术介绍
1、随着芯片集成度的不断提升，电容的性能也需要提升，采用深沟槽电容器(deeptrench capacitor，简称dtc)替代传统贴片电容成为大势所趋，由于深沟槽电容器在高的偏置电压下仍具有高稳定性及低漏电流，因此，其广泛应用于天线匹配、射频滤波和ic(integrated circuit，集成电路)去耦及相关工业领域。
2、然而，设置深沟槽电容器没有充分利用基板表面面积，导致最后得到的半导体封装结构的集成密度较低以及电容量较低，电容性能仍有待提高。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法、封装结构，至少有利于提高半导体封装结构的集成密度以及电容面积。
2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构，包括：基底，所述基底具有相对的第一表面以及第二表面，所述基底包括阵列区，且所述阵列区内形成有自所述第一表面向所述第二表面延伸的多个沟槽；第一电极板...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底还包括分别与所述阵列区相邻的第一边缘区和第二边缘区，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第三电极板远离所述基底的表面齐平，所述第三电极板包括位于所述第二边缘区的第一部以及位于所述阵列区的第二部，所述第一部的厚度大于或等于所述第二部的厚度。
5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，位于所述第二边缘区的第二介质层的厚度小于或等于...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底还包括分别与所述阵列区相邻的第一边缘区和第二边缘区，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第三电极板远离所述基底的表面齐平，所述第三电极板包括位于所述第二边缘区的第一部以及位于所述阵列区的第二部，所述第一部的厚度大于或等于所述第二部的厚度。
5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，位于所述第二边缘区的第二介质层的厚度小于或等于所述阵列区的第二介质层的厚度。
6.根据权利要求2～5任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第二介质层包括层叠的第一膜层以及第二膜层，所述第一膜层位于所述阵列区，所述第二膜层位于所述第一边缘区、第二边缘区和阵列区。
7....
【专利技术属性】
技术研发人员：刘小平，徐丹，徐玉婷，林廉恭，章慧，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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