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本申请的实施例提供了存储器器件及其形成方法。存储器器件包括：多个外围晶体管，沿着衬底的第一表面形成；多个存储器单元，形成在设置在第一表面上方的多个第一金属化层中的一个或多个第一金属化层中，多个存储器单元中的每个可操作地耦合到外围晶体管的子集...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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