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半导体结构包括衬底以及延伸至半导体层中的第一外延源极/漏极部件。半导体结构包括位于第一外延源极/漏极部件之下的半导体层中的第一掺杂区域。第一掺杂区域包括第一浓度的掺杂剂。半导体结构包括延伸至半导体层中的第二外延源极/漏极部件。半导体结构包括...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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