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本公开的各个实施例针对包括位于半导体衬底上面的薄膜电阻器(TFR)层的集成芯片。第一导电结构设置在TFR层的外部区域上。第一导电结构包括与垂直部分相邻的横向部分。垂直部分的高度大于横向部分的高度。覆盖结构设置在TFR层的中间区域上，并且邻接...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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