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提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括下接线结构、在下接线结构上并包括上接线沟槽的上层间绝缘膜以及在上接线沟槽中的上接线结构。上接线结构包括上阻挡结构和在上阻挡结构上的上填充膜。上阻挡结构包括沿着上接线沟槽的侧壁延伸的侧壁部分和沿着上接线...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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