半导体装置制造方法及图纸

提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括下接线结构、在下接线结构上并包括上接线沟槽的上层间绝缘膜以及在上接线沟槽中的上接线结构。上接线结构包括上阻挡结构和在上阻挡结构上的上填充膜。上阻挡结构包括沿着上接线沟槽的侧壁延伸的侧壁部分和沿着上接线沟槽的底面延伸的底部分。上阻挡结构包括上阻挡膜和在上阻挡膜与上填充膜之间的上衬膜。上阻挡结构的侧壁部分包括二维材料(2D材料)，并且上阻挡结构的底面没有二维材料。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种半导体装置和用于制造该半导体装置的方法，更具体地，涉及一种包括在beol(后端制程)工艺中形成的布线(wiring line)的半导体装置和用于制造该半导体装置的方法。

技术介绍

1、随着由于电子技术的发展而引起的半导体元件的按比例缩小的快速进展，存在对半导体芯片的更高集成度和更低功耗的需求。为了应对对半导体芯片的更高集成度和更低功耗的需求，半导体装置的特征尺寸持续减小。

2、随着特征尺寸减小，正在对接线(wiring)之间的稳定连接方法进行各种研究。

技术实现思路

1、本公开的方面提供了一种能够改善元件性能和可靠性的半导体装置。

2、本公开的方面提供了一种用于制造能够改善元件性能和可靠性的半导体装置的方法。

3、根据本公开的一方面，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：下接线结构；上层间绝缘膜，在下接线结构上并且包括上接线沟槽，上接线沟槽位于上层间绝缘膜中；以及上接线结构，在上接线沟槽中并且包括上阻挡结构和在上阻挡结构上的上填充膜。上阻挡结构包括沿着上接本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上阻挡结构包括上阻挡膜和在上阻挡膜与上填充膜之间的上衬膜，其中，上阻挡膜与上层间绝缘膜接触，并且包括二维材料。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，上衬膜包括氮化钽和/或掺杂有钌的氮化钽。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，上衬膜包括钴和/或钌钴。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，上衬膜包括第一子上衬膜以及在第一子上衬膜与上填充膜之间的第二子上衬膜。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，第一子上衬膜和第二子上衬膜各自...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上阻挡结构包括上阻挡膜和在上阻挡膜与上填充膜之间的上衬膜，其中，上阻挡膜与上层间绝缘膜接触，并且包括二维材料。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，上衬膜包括氮化钽和/或掺杂有钌的氮化钽。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，上衬膜包括钴和/或钌钴。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，上衬膜包括第一子上衬膜以及在第一子上衬膜与上填充膜之间的第二子上衬膜。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，第一子上衬膜和第二子上衬膜各自沿着上接线沟槽的侧壁和底表面延伸。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，第一子上衬膜包括氮化钽和/或掺杂有钌的氮化钽，并且

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上阻挡结构包括上阻挡膜和在上阻挡膜与上填充膜之间的上衬膜，

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，上阻挡结构包括上阻挡膜和在上阻挡膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：南瑞祐，李义福，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：