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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构和半导体结构的检测方法，半导体结构包括：基底，所述基底包括多个拼接设置的曝光区，相邻所述曝光区之间具有拼接边界；相邻所述曝光区在曝光处理过程中使用同一个光罩先后进行曝光得到；横跨所述拼接边界的测...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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