【技术实现步骤摘要】
本公开属于半导体领域，具体涉及一种半导体结构和半导体结构的检测方法。
技术介绍
1、曝光工艺是制作半导体领域中非常重要的工序，其目的是将光刻掩膜版上的几何图形转移到基底上，然后经过刻蚀等工序在基底上形成相应的器件。
2、为了满足更大尺寸要求，拼接曝光已经应用于半导体领域。将基底划分为多个拼接设置的曝光区，先后对不同的曝光区进行曝光处理。多次曝光处理可以形成器件的完整图形。
3、然而，在进行拼接曝光时，不同曝光区的定位可能出现偏移，即出现相邻曝光区未对准的情况。然而目前缺乏有效的手段以迅速监控相邻曝光区的对准情况，所以难以及时对曝光处理的工艺参数进行调整，从而影响大批半导体结构的良率。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体结构和半导体结构的检测方法，至少有利于提高半导体结构的良率。
2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构，其中，半导体结构包括：基底，所述基底包括多个拼接设置的曝光区，相邻所述曝光区之间具有拼接边界；相邻所述曝...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述测试元件多次横跨所述拼接边界。
3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，一个所述测试元件横跨多个所述拼接边界，并位于共享所述拼接边界的全部所述曝光区上。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述测试元件在所述基底上的正投影的形状为螺旋形。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，
6.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，至少两个所述子元件在所述基底上的正投影的形状对称或相同，且尺
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述测试元件多次横跨所述拼接边界。
3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，一个所述测试元件横跨多个所述拼接边界，并位于共享所述拼接边界的全部所述曝光区上。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述测试元件在所述基底上的正投影的形状为螺旋形。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，
6.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，至少两个所述子元件在所述基底上的正投影的形状对称或相同，且尺寸相同。
7.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述测试元件在多个所述拼接边界上的横跨次数相同。
8.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述测试元件为多个，且每一所述测试元件均横跨相邻两个所述曝光区之间的所述拼接边界。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：许占齐，吴奇龙，李宗翰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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