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本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成基底，所述基底包括第一导电层以及沿第一方向位于所述第一导电层上方的堆叠介质层，所述堆叠介质层至少包括氮化硅层；形成位于所述堆叠介质层内且与所述第一导电层的位置对...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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