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本发明涉及一种测量SiC MOSFET沟道近界面陷阱密度的方法，属于半导体器件测试领域，包括：选择SiC MOSFET样品；使用参数分析仪进行标准交流电容测量以测试阳极和阴阳之间的电容；在多个正弦波的频率中选择出高参考频率和低参考频率；计算...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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