测量SiC MOSFET沟道近界面陷阱密度的方法技术

本发明专利技术涉及一种测量SiC MOSFET沟道近界面陷阱密度的方法，属于半导体器件测试领域，包括：选择SiC MOSFET样品；使用参数分析仪进行标准交流电容测量以测试阳极和阴阳之间的电容；在多个正弦波的频率中选择出高参考频率和低参考频率；计算低参考频率下响应电荷密度与高参考频率下响应电荷密度的差异，以确定阈值以上区域活跃的近界面陷阱密度。本发明专利技术可无损表征影响SiC MOSFET沟道性能的近界面陷阱的密度，测试方法简单，能够为SiC MOSFET性能优化提供数据支持，提升器件性能及可靠性，还可帮助用户更便捷地比较和选择来自不同制造商的器件，且本方法适用于所有结构的SiC MOSFET。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种测量sic mosfet沟道近界面陷阱密度的方法，主要应用于sicmosfet近界面陷阱密度的无损表征，属于半导体器件测试。

技术介绍

1、碳化硅功率金属氧化物半导体场效应管（sic mosfet）因其导通电阻低、开关速度快、功率损耗低等优点，在高功率、高频率的应用中展现出显著的优势。然而，sic mosfet的性能受到许多因素的限制，其中沟道载流子迁移率是一个关键问题。sic与sio2之间的界面在制造过程中容易形成缺陷，如热氧化过程中产生的含碳副产物、悬挂键、晶格失配等，这些缺陷会诱发近界面陷阱的形成，在工艺上难以避免。这些陷阱位于sio2/sic界面附近，捕获并释放载流子，从而影响mosfet的整体性能。虽然已有大量研究关注这些近界面陷阱，但大多数研究集中在导带以下的陷阱能级。对于与导带能级对准和围绕费米能级的陷阱能级，其陷阱密度的相关表征方法和影响尚不充分了解。

2、sic mosfet结构主要分两种：沟槽结构和平面结构。相较于传统的平面结构，沟槽结构具有更小的器件间距和更高的沟道迁移率，其应用日益广泛。与平面mosfe本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种测量SiC MOSFET沟道近界面陷阱密度的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的测量SiC MOSFET沟道近界面陷阱密度的方法，其特征在于，步骤S1中，SiC MOSFET样品为平面MOSFET或沟槽MOSFET。

3.根据权利要求1所述的测量SiC MOSFET沟道近界面陷阱密度的方法，其特征在于，步骤S2中，栅控二极管工作模式为：将待测的SiC MOSFET样品的漏极和源极进行短路处理，并共同接地作为阴极，栅极电极作为阳极进行测试。

4.根据权利要求3所述的测量SiC MOSFET沟道近界面陷阱密度的方法，其特征在于...

【技术特征摘要】

1.一种测量sic mosfet沟道近界面陷阱密度的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的测量sic mosfet沟道近界面陷阱密度的方法，其特征在于，步骤s1中，sic mosfet样品为平面mosfet或沟槽mosfet。

3.根据权利要求1所述的测量sic mosfet沟道近界面陷阱密度的方法，其特征在于，步骤s2中，栅控二极管工作模式为：将待测的sic mosfet样品的漏极和源极进行短路处理，并共同接地作为阴极，栅极电极作为阳极进行测试。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟宇，王天露，韩吉胜，徐明升，汉多科·林纳威赫，徐现刚，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：