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本公开涉及半导体设备和用于制造该半导体设备的方法。一种半导体设备包括：衬底，其包括核心区域和外围区域；第一导电图案，其包括在核心区域的衬底上方的栅极介电层和栅极电极的堆叠结构，并且包括插入在栅极介电层与栅极电极之间的界面处的高k层；以及第二...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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