半导体设备和用于制造该半导体设备的方法技术

技术编号:43667540 阅读:16 留言:0更新日期:2024-12-18 20:54
本公开涉及半导体设备和用于制造该半导体设备的方法。一种半导体设备包括:衬底,其包括核心区域和外围区域;第一导电图案,其包括在核心区域的衬底上方的栅极介电层和栅极电极的堆叠结构,并且包括插入在栅极介电层与栅极电极之间的界面处的高k层;以及第二导电图案,其包括在外围区域的衬底上方的栅极介电层和栅极电极的堆叠结构,并且包括覆盖栅极介电层与栅极电极之间的界面和栅极电极的两个侧壁的高k层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的各种实施例涉及一种半导体设备,并且更特别地,涉及一种包括针对外围区域和核心区域而优化的栅极结构的半导体设备,以及一种用于制造该半导体设备的方法。


技术介绍

1、随着半导体设备被集成,存在增加生产效率和降低相关成本的优点,这使组成元件缩小并且增加处理和制造的复杂性。特别地,随着晶体管的尺寸减小,栅极氧化物的厚度应当被减少,以在具有减少的栅极长度的同时维持性能。为了减少栅极泄漏,正在使用高k栅极介电层,其允许介电层的更大物理厚度,同时维持由用于更大技术尺寸的节点的一般栅极氧化物提供的相同有效电容。

2、而且,正在应用利用金属栅极电极替代多晶硅栅极电极的方法,以改进设备的性能。


技术实现思路

1、本专利技术的实施例涉及一种半导体设备,该半导体设备包括针对核心区域和外围区域而优化的金属栅极电极。

2、根据本专利技术的一个实施例,一种半导体设备包括:衬底,其包括核心区域和外围区域;第一导电图案,其包括在核心区域的衬底上方的栅极介电层和栅极电极的堆叠结构,并且包括插入在栅极介电层与栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体设备,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体设备,其中所述第一导电图案进一步包括

3.根据权利要求1所述的半导体设备,其中所述第一导电图案进一步包括

4.根据权利要求1所述的半导体设备,其中所述第二导电图案进一步包括

5.根据权利要求1所述的半导体设备,其中所述第二导电图案进一步包括

6.一种半导体设备,包括:

7.根据权利要求6所述的半导体设备,其中在所述第一栅极结构中,所述第一栅极介电层和所述第一高k层是条形形状的。

8.根据权利要求6所述的半导体设备,其中在所述第二栅极结构中,

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【技术特征摘要】

1.一种半导体设备,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体设备,其中所述第一导电图案进一步包括

3.根据权利要求1所述的半导体设备,其中所述第一导电图案进一步包括

4.根据权利要求1所述的半导体设备,其中所述第二导电图案进一步包括

5.根据权利要求1所述的半导体设备,其中所述第二导电图案进一步包括

6.一种半导体设备,包括:

7.根据权利要求6所述的半导体设备,其中在所述第一栅极结构中,所述第一栅极介电层和所述第一高k层是条形形状的。

8.根据权利要求6所述的半导体设备,其中在所述第二栅极结构中,

9.根据权利要求6所述的半导体设备,其中所述第一栅极结构进一步包括:

10.根据权利要求6所述的半导体设备,其中所述第二栅极结构进一步包括:

11.根据权利要求9所述的半导体设备,其中在所述第一栅极结构中,

12.根据权利要求10所述的半导体设备,其中在所述第二栅极结构中,

13.根据权利要求6所述的半导体设备,其中在所述第三栅极结构中,

14.根据权利要求6所述的半导体设备,其中在所述第四栅极结构中,

15.根据权利要求6所述的半导体设备,其中所述核心区域和所述外围区域中的每一者包括低电压晶体管区域和高电压晶体管区域,并且

16.根据权利要求6所述的半导体设备,其中所述第一栅极结构至所述第四栅极结构是替代金属栅极rmg结构。

17.根据权利要求6所述的半导体设备,其中所述第一栅极结构至所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:尹荣广
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司
类型:发明
国别省市:

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