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本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种碳化硅功率模块的封装结构及封装方法。所述封装结构包括底板；半绝缘碳化硅双面镀铜基板通过真空回流焊连接在底板上；碳化硅功率模块包括两个半桥电路结构，每个半桥电路结构均包括六个第一碳化硅芯片和六个第二碳化硅...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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