温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种双多晶自对准双极工艺集成锗硅HBT的制作方法及器件，方法包括：在硅衬底上形成第一集电极区、第二集电极区和场氧隔离区；在第一集电极区注入内基区；在集电极区形成选择性注入区；在第二集电极区中形成Si Ge异质结内基区；形成第一外...
该专利属于中国电子科技集团公司第二十四研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第二十四研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。