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本发明涉及半导体高压器件芯片，该芯片的内沟槽和外沟槽在纵向上非对称设置，正面的芯片与芯片之间留有一间隔带，内沟槽和外沟槽的侧壁和底部表面覆有一层掺氧半绝缘多晶硅钝化膜，掺氧半绝缘多晶硅钝化膜之上覆有一层玻璃保护膜。本发明还涉及半导体高压器件...
该专利属于启东市捷捷微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过启东市捷捷微电子有限公司授权不得商用。

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