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本发明公开了一种高散热性双面覆晶薄膜及其化学刻蚀方法，包括基材和导通孔,所述基材的上下两侧均设置有电路板，且电路板远离基材的一侧面上设置有芯片，所述导通孔开设在贯穿电路板和基材上，且导通孔的内部设置有导热铜。该高散热性双面覆晶薄膜及其化学刻...
该专利属于浙江晶引电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江晶引电子科技有限公司授权不得商用。

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