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本发明提供了一种采用FIB制备石英玻璃平面TEM样品的方法，属于半导体制造技术领域。所述的方法包括以下步骤：S1、样品前处理；S2、FIB刻蚀；S3、楔形校正：通过U型切割倾转角的方法，逐步调整离子束的切割角度和强度，减小步骤S2中的楔形试...
该专利属于湖北兴福电子材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖北兴福电子材料股份有限公司授权不得商用。

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