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一种半导体器件包括：外围电路结构；和单元结构，所述单元结构堆叠在所述外围电路结构上并且包括单元区域、连接区域和外围电路连接区域，其中，所述单元结构包括：栅电极，所述栅电极在所述单元区域中在垂直方向上相互间隔开；沟道结构，所述沟道结构在所述垂...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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