【技术实现步骤摘要】
实施例涉及半导体器件。
技术介绍
1、在使用数据存储的电子系统中，可以使用能够存储高容量数据的半导体器件。在一种增加半导体器件的数据存储容量的方法中，已考虑包括三维布置的存储单元而不是二维布置的存储单元的半导体器件。另外，已提出了如下半导体器件：在该半导体器件中，半导体器件的一部分形成在第一衬底上，半导体器件的另一部分形成在第二衬底上，并且第一衬底与第二衬底相结合。
技术实现思路
1、实施例可以通过提供一种半导体器件来实现，所述半导体器件包括：外围电路结构；和单元结构，所述单元结构堆叠在所述外围电路结构上并且包括单元区域、连接区域和外围电路连接区域，其中，所述单元结构包括：栅电极，所述栅电极在所述单元区域中在垂直方向上相互间隔开；沟道结构，所述沟道结构在所述垂直方向上延伸通过所述栅电极，位于所述单元区域中，并且包括第一端部和与所述第一端部相对的第二端部，所述第一端部靠近所述外围电路结构；绝缘壁，所述绝缘壁在所述单元区域与所述连接区域之间的边界处在所述垂直方向上延伸；和公共源极层，所述公共源...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘壁在俯视图中围绕所述单元区域。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述单元结构还包括导电基层，所述导电基层布置在所述连接区域和所述外围电路连接区域中，接触所述绝缘壁，并且具有与所述绝缘壁相同的高度。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述单元结构还包括：
7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述单元
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘壁在俯视图中围绕所述单元区域。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述单元结构还包括导电基层，所述导电基层布置在所述连接区域和所述外围电路连接区域中，接触所述绝缘壁，并且具有与所述绝缘壁相同的高度。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述单元结构还包括：
7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述单元结构还包括：
8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述覆盖绝缘层布置在所述绝缘壁的所述第二端部上。
10.根据权利要求1所述的半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：金平宇，李昌燮，白承祐，张允瑄，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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