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本技术提供一种半导体结构，包含第一垂直晶体管，其包含第一垂直半导体棒以及第一栅极介电质及第一栅极电极，环绕第一垂直半导体棒。第一垂直晶体管还包含第一源极/漏极区，位于第一垂直半导体棒的顶表面上方，以及第二源极/漏极区，接触第一垂直半导体棒的...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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