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本申请公开一种选择性外延生长方法、掩膜图案尺寸补偿方法及形成掩膜图案的方法，属于半导体加工技术领域。所公开的选择性外延生长方法包括输送第一气体至工艺腔室内，以使第一气体吸附于基底的表面，基底上形成有沟槽，第一气体在基底的顶面、沟槽的底面和侧...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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