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本申请涉及具有金属板层的半导体管芯。在实施方式中，一种半导体管芯包括：基板；层间绝缘层，其位于基板的前侧表面下方；水平金属互连件，其位于层间绝缘层中；前侧焊盘，其位于层间绝缘层的下表面下方；前侧凸块结构，其位于前侧焊盘的下表面下方；贯通电极...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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