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本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。该横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底；第一掺杂区，设于衬底内；第二掺杂区，设于衬底内；沟槽，设于衬底内，且从第二掺杂区的表面开口并延伸至第一掺杂区，以暴露部分第一掺杂区；漏区，设于...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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