本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。该横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底；第一掺杂区，设于衬底内；第二掺杂区，设于衬底内；沟槽，设于衬底内，且从第二掺杂区的表面开口并延伸至第一掺杂区，以暴露部分第一掺杂区；漏区，设于暴露的部分第一掺杂区内；源区，设于第二掺杂区内；栅极，设于衬底上，源区位于漏区和栅极之间。本申请通过将漏区(漏端)设置在沟槽底部的第一掺杂区内，以及将器件端口布局成Drain/Source/Gate的结构，这样，源区(源端)的结构可以屏蔽漏区(漏端)与栅极之间的Cgd电容，从而有效降低漏区(漏端)与栅极之间的Cgd电容，提升器件的工作频率。
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路，特别是涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的不断发展，横向双扩散金属氧化物半导体(lateral double-diffuse mos，ldmos)器件的应用也日益广泛，同时对横向扩散金属氧化物半导体器件的性能提出了更高的要求。传统的n型横向双扩散金属氧化物半导体(nldmos)器件通常采用drain/gate/source的布局结构，为了提高器件耐压，gate端通常采用gate场板以增强漂移区的耗尽，然而，gate场板会增加器件的cgd电容，从而降低了器件的工作频率。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述问题，提供一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。
2、为了实现上述目的，第一方面，本申请提供了一种横向扩散金属氧化物半导体器件，包括：
3、衬底；
4、第一掺杂区，设于所述衬底内；
5、第二掺杂区，设于所述衬底内，且从所述衬底的表面延伸至所述第一掺杂区；
>6、沟槽，设于所述本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述源区至少位于所述栅极沿第一方向的两侧；所述沟槽至少位于所述栅极沿所述第一方向的两侧；所述漏区至少位于所述栅极沿所述第一方向的两侧；所述第一方向垂直于所述衬底的厚度方向。
3.根据权利要求2所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述源区围设于所述栅极的外围；所述沟槽围设于所述源区的外围；所述漏区围设于所述源区的外围。
4.根据权利要求2所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述栅极的数量为多个，多个所述栅极沿...
【技术特征摘要】
1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述源区至少位于所述栅极沿第一方向的两侧；所述沟槽至少位于所述栅极沿所述第一方向的两侧；所述漏区至少位于所述栅极沿所述第一方向的两侧；所述第一方向垂直于所述衬底的厚度方向。
3.根据权利要求2所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述源区围设于所述栅极的外围；所述沟槽围设于所述源区的外围；所述漏区围设于所述源区的外围。
4.根据权利要求2所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述栅极的数量为多个，多个所述栅极沿所述第一方向间隔排布；
5.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述横向扩散金属氧化物半导体器件还包括隔离结构，所述隔离结构设置在所述衬底上，且围成一器件区；
6.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋亮，安丽琪，罗琳，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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