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提供了一种非易失性存储器件和包括非易失性存储器件的存储器系统。该非易失性存储器件可以包括：衬底，其具有单元区域和连接区域；电极结构，其包括堆叠在所述衬底上的电极和覆盖所述电极当中的最上面的电极的绝缘图案；垂直结构，其在所述单元区域中穿过所述...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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