非易失性存储器件和包括非易失性存储器件的存储器系统技术方案

提供了一种非易失性存储器件和包括非易失性存储器件的存储器系统。该非易失性存储器件可以包括：衬底，其具有单元区域和连接区域；电极结构，其包括堆叠在所述衬底上的电极和覆盖所述电极当中的最上面的电极的绝缘图案；垂直结构，其在所述单元区域中穿过所述电极结构与所述衬底连接；填充绝缘层，其在所述连接区域中覆盖所述电极结构；缓冲绝缘层，其位于覆盖绝缘层上；导电图案；以及上半导体图案，其穿过所述缓冲绝缘层与所述导电图案连接。覆盖绝缘层可以覆盖电极结构、垂直结构和填充绝缘层，并且可以包括位于单元区域中的贯穿孔和位于连接区域中的至少一个贯穿开口。导电图案可以具有位于贯穿孔中的至少一部分，并且可以与垂直结构连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术构思涉及非易失性存储器件和/或包括非易失性存储器件的存储器系统。更具体地，本专利技术构思涉及三维非易失性存储器件和包括三维非易失性存储器件的存储器系统。

技术介绍

1、消费者要求具有高性能、小尺寸和低价格的非易失性存储器件。因此，为了实现具有高集成度的非易失性存储器件，已提出其中布置有多个存储单元的三维非易失性存储器件。

技术实现思路

1、本专利技术构思涉及具有提高的可靠性和/或集成度的非易失性存储器件和/或包括非易失性存储器件的存储器系统。

2、根据本专利技术构思的实施例，一种非易失性存储器件可以包括：衬底，所述衬底包括单元区域和连接区域；电极结构，所述电极结构包括堆叠在所述衬底上的电极和覆盖所述电极当中的最上面的电极的绝缘图案；垂直结构，所述垂直结构在所述单元区域中穿过所述电极结构与所述衬底连接；填充绝缘层，所述填充绝缘层在所述连接区域中覆盖所述电极结构；覆盖绝缘层，所述覆盖绝缘层覆盖所述电极结构、所述垂直结构和所述填充绝缘层，所述覆盖绝缘层包括位于所述单元区域中的贯穿孔和位于所述连本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括：

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器件，其中，所述缓冲绝缘层与所述填充绝缘层在所述连接区域中通过所述至少一个贯穿开口彼此直接接触。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器件，其中，所述缓冲绝缘层填充所述至少一个贯穿开口。

5.根据权利要求2所述的非易失性存储器件，其中，

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器件，其中，所述填充绝缘层包括氧化硅、低k材料或其组合。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，<...

【技术特征摘要】

1.一种非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括：

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器件，其中，所述缓冲绝缘层与所述填充绝缘层在所述连接区域中通过所述至少一个贯穿开口彼此直接接触。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器件，其中，所述缓冲绝缘层填充所述至少一个贯穿开口。

5.根据权利要求2所述的非易失性存储器件，其中，

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器件，其中，所述填充绝缘层包括氧化硅、低k材料或其组合。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，

8.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，所述非易失性存储器件还包括：

9.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，

10.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：金森基，金南斌，金泰勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：